量子色心金刚石含特定的色心，能在量子等级上操作和控制光子和自旋态，热导率高，化学稳定性好，尤其是室温下的长自旋相干时间，可应用在量子信息处理，生物标记，灵敏磁场探测，以及纳米尺度的热传输控制等领域。 电子级金刚石有极高热导率和绝缘性，有高电子/空穴迁移率和高击穿电压。可作为高温、高频、高功率和辐射环境下等极限条件下的电子器件的理想材料。 电子级金刚石有极高热导率和绝缘性，强大的场效应晶体管特性即高电子/空穴迁移率和高击穿电压。是高温、高频、高功率和辐射环境下等极限条件下的电子器件的理想材料。 晶体的声子导热带来的极高的热导率，作为高功率器件如LED、激光器、芯片的散热热沉材料。
硅Si单晶是现代半导体工业中使用最广泛的材料之一，其卓越的性能和成本优势使它在许多应用中都占据主导地位。硅单晶具有高的纯度，能够形成完美的晶格结构，这对于制造高效率、低功耗的微电子设备至关重要。硅单晶也表现出良好的热稳定性和化学稳定性，这使得其能在苛刻环境下保持稳定运行。硅单晶的主要应用包括微处理器、存储器、太阳能电池等。
锗单晶的禁带宽度比硅小，这使得它在室温下的载流子迁移率更高，因此可以在更高频率下工作。同时，锗的高吸光性使其成为生产光电子器件的理想材料，如光纤通信中的光检测器等。然而，锗的生产成本较高，这限制了其在大规模应用中的使用，但在需要高性能、高速率的领域，锗单晶仍然具有很大的优势。
氧化镓(Ga2O3)是一种半导体材料，具有良好的化学和热稳定性，其禁带宽度为4.7-4.9eV，临界击穿场强为8 MV/cm（远高于SiC的理论极限2.5 MV/cm和GaN的3.3 MV/cm），电子迁移率为250 cm2/V•s，有较强的透明导电性，巴利加优值超过3000，是GaN和SiC材料的数倍之多。
氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料，它具有高电子迁移率、高热导率以及高抗辐射性等优良性质。GaN广泛应用于LED灯制造、射频应用、电力电子和太阳能电池等领域。特别是在电力电子领域，GaN因其能承受更高的电压和温度，被视为未来电力系统的重要材料。同时，GaN的抗辐射特性也使其在航天领域具有潜力。
碳化硅SiC晶体是一种宽禁带半导体材料，其热导性优秀，电场击穿强度高，这使其在高功率、高频率、高温等恶劣环境中具有显著的性能优势。SiC晶体被广泛应用于电力电子设备，如电动汽车、轨道交通、电网等领域的功率器件，还可以作为高温、高频微波设备的材料。
砷化镓GaAs晶体是一种直接带隙半导体材料，具有良好的电子迁移性能和较高的电子速度，适合用于高速电子器件。与硅比较，GaAs更适合用于制造速度更快的电子器件。另外，GaAs晶体对光有很强的吸收能力，因此在太阳能电池、光电二极管、激光二极管等光电子领域应用广泛。
磷化铟（InP）是一种重要的III-V族半导体材料，具有直接带隙特性和较高的电子迁移率。InP单晶的禁带宽度约为1.35eV，在房温下具有优秀的光学和电子性能。InP常被用于制作高速电子器件，包括高频、高速的光纤通信系统、微波器件，以及某些高效太阳能电池。此外，由于InP的高折射率和良好的热稳定性，它也被广泛应用于LED和激光二极管的制造。
GaSb是砷化镓的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有广泛的应用领域，包括红外探测器、激光器、光电传感器等。GaSb的优异特性包括高电子迁移率、宽带隙、低噪声和高饱和漂移速度，使其成为红外技术和光电子学领域的理想选择。
InAs是砷化铟的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有优异的电子运动性能和光学特性，广泛应用于红外探测器、光电传感器、激光器等领域。InAs具有高载流子迁移率、宽带隙调节范围和快速响应速度等优势，为红外光学和电子器件提供了良好的性能。
ZnO是氧化锌的化学式，是一种广泛应用的半导体材料。它具有优异的光电性能和光学特性，可用于光电器件、光学涂层、传感器等。ZnO的优点包括宽带隙、高透明性、优良的电子传输性能和良好的化学稳定性，使其在光电子学和光学领域具有重要应用价值。
CdZnTe是碲化镉锌的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有宽带隙和高电子迁移率，广泛应用于X射线和γ射线探测器、核医学成像等领域。CdZnTe的优势包括高能量分辨率、快速响应时间和良好的辐射硬度，使其成为射线探测和成像技术的关键材料。
氟化镁（MgF2）是一种光学材料，由于其优异的光学特性和化学稳定性，在许多应用中都有显著的作用。这种晶体透明度高，可以传输从紫外到红外的广泛光谱。MgF2具有低的折射率和色散，以及良好的热稳定性和耐侵蚀性。氟化镁晶体对大气和水稳定，硬度高，抗冲击性强。由于其化学稳定性和机械强度，氟化镁晶体可以在恶劣的环境中长时间使用。
CaF2是氟化钙的化学式，是一种广泛应用的光学材料。它具有优异的光学透明性、低折射损耗和化学稳定性，常用于紫外光学器件、激光光学元件和光学涂层。CaF2的优势包括宽波长范围、低散射损耗和较高的折射率，使其成为光学领域的重要材料。
BaF2是氟化钡的化学式，是一种重要的光学材料。它具有优异的光学透明性和化学稳定性，广泛应用于紫外光学器件、激光光学元件和光学涂层。BaF2的特点包括宽波长范围、低散射损耗和较高的折射率，使其成为光学系统中的重要组成部分。
LiF是氟化锂的化学式，是一种重要的光学材料。它具有优异的光学透明性、化学稳定性和较高的折射率，广泛应用于紫外光学器件、激光光学元件和光学涂层。LiF的优势包括宽波长范围、低散射损耗和较高的折射率，使其在光学领域具有重要地位。
YAG是氧化铝钇的化学式，是一种重要的晶体材料。它具有优异的光学和物理特性，广泛应用于激光器、光通信、医学成像等领域。YAG的优势包括高硬度、优良的热导性和良好的光学透明性，使其成为高功率激光器和光学器件的理想选择。
Ce:LYSO是掺铈镥铝硅酸钇晶体，是一种优秀的闪烁材料。它具有高闪烁效率、快速闪烁响应和较长的荧光寿命，广泛应用于医学影像、粒子探测和核物理实验等领域。Ce:LYSO的特点使其成为高性能闪烁探测器和光学传感器的理想选择。
掺铈YAG（Ce:YAG）是一种重要的闪烁晶体，具有良好的光学和闪烁性能。
掺铈YAP（Ce:YAP）是一种闪烁晶体，具有良好的光学和闪烁特性。
锗酸铋（BGO）是一种常用的闪烁晶体，具有优异的光学和闪烁性能。
钨酸镉(Cadmium Tungstate, CdWO4)是一种具有出色光学性能的无机晶体材料。它广泛应用于激光和光电子学领域，尤其是在闪烁探测器和医学成像系统中被广泛采用。CdWO4闪烁晶体以其高光产额、快速衰减时间、高密度和良好的能量分辨率而闻名。此外，这种晶体对X射线和γ射线有很好的灵敏度，因此在辐射探测领域具有高价值。对于激光技术，钨酸镉晶体也显示出很好的性能，包括较宽的发射带宽和较高的光增益。
稀土掺杂氟化钇锂（RE:LiYF4）是一种激光晶体，具有独特的性能（详见本页"特点和优势"），例如高激光损伤阈值、大发射截面和宽调谐范围。它已被广泛研究并优化用于不同领域的激光应用。
稀土掺杂氟化镥锂晶体（RE:LiLuF4）是一种含有稀土元素的晶体，如铒、铥或钬，这些元素被添加到锂和氟化镥的基质中。它以其优异的光学和光谱性能而闻名，使其成为各种应用的诱人材料。
掺镱YAG（Yb:YAG）晶体是一种很有前途的激光材料。该晶体比传统的掺钕YAG晶体更适合于二极管泵浦激光系统。
Nd:YAG单晶是最重要的激光晶体，它广泛应用于工业、医学和科学研究领域。 .
Er3+：YAG晶体是一种具有吸引力的激光材料，用于1617和1645 nm波长的人眼安全发射，可在1470 nm和1532 nm处通过二极管共振泵入上部激光集管。
Ho:YAG单晶是研究最早的2um激光晶体之一。其输出波长接近2.1um，位于大气窗口内。
LiNbO3是一种重要的电光晶体材料，具有优异的电光特性。它广泛应用于光纤通信、光学调制器、光学开关等领域。LiNbO3的优势包括高电光系数、宽光学透明范围和稳定的光学性能，使其成为光电子学领域的重要材料。
LiTaO3是一种具有优异电光特性的晶体材料。它广泛应用于光学调制器、声光调制器和压电传感器等领域。LiTaO3的优势包括高电光系数、宽光学透明范围和优良的机械性能，使其在光电子学和声电器件中得到广泛应用。
邻苯二甲酸氢钾(KAP)是一种重要的非线性光学晶体。它具有优异的光学特性，可用于光学调制器、频率倍增器和光学振荡器等领域。KAP的优点包括宽光学透明范围、大的非线性光学系数和较高的光学损耗容限，使其成为非线性光学应用的理想材料。
磷酸钛氧钾(KTP)是一种重要的非线性光学晶体。它具有优异的非线性光学特性，广泛应用于频率倍增、光学调制和光学振荡等领域。KTP的优势包括大的非线性光学系数、宽光学透明范围和优良的光学稳定性，使其成为非线性光学器件的理想选择。
石英水晶(SiO2)是一种重要的光学材料，具有广泛的应用领域。它在光学器件、光学涂层和光学通信等领域中发挥着关键作用。石英水晶的优点包括高透明性、化学稳定性和良好的热稳定性，使其成为光学系统中的重要组成部分。
TiO2是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。它在太阳能电池、光催化、光电子器件等领域中发挥着重要作用。TiO2的优势包括良好的光学性能、高电子迁移率和稳定的化学性质，使其成为材料科学和能源领域的研究热点。
TeO2是一种重要的光学晶体材料，具有优异的光学性能和声光特性。它广泛应用于声光调制器、光纤光学传感器和光学波导等领域。TeO2的优点包括宽光学透明范围、大的声光系数和较高的光学稳定性，使其成为光学和声学器件的理想选择。
铝酸钇(YAlO3)是一种重要的晶体材料，具有优异的光学和电学性能。它广泛应用于激光器、光学波导和光学涂层等领域。YAlO3的优势包括高光学透明性、优良的热导性和化学稳定性，使其在光学器件和光学通信中发挥关键作用。
SnSe2是一种二维材料，它是一种具有独特物理性质的半导体。其特殊的电子结构，包括较大的带隙和高的电荷载流子迁移率，使其在光电子学和能源领域（如光伏和热电应用）中具有重要的应用潜力。此外，它在电子器件、光电传感器和催化剂中也具有广泛的应用。
WS2是一种二维材料，具有多层或单层结构，展现出出色的光电特性，例如光催化和光电导性。其性质如光电导性，抗腐蚀性和化学稳定性使其在光电子学，催化剂和生物医学等领域中具有应用前景。
WSe2一种二维半导体材料，其单层具有直接带隙，是低功耗电子设备的理想材料。其在光电器件，逻辑电路和光电传感器等领域有广泛应用。
WTe2是一种二维半导体材料，具有高电导率和独特的磁性特性。此外，它还显示出强大的反常量子霍尔效应，使其在量子计算机和自旋电子学中有潜在的应用。
ReS2是一种二维材料，展现出不同于其他转换金属二硫化物的特性，例如更高的阳离子电荷密度和较低的对称性。因其独特的光学和电子特性，ReS2在光电子和自旋电子学中具有潜在的应用。
ReSe2一种二维半导体材料，具有较低的对称性和优良的光学性能。此外，由于其良好的电子传输特性和高的电荷载流子迁移率，它在电子设备和光电器件中有广泛应用。
MoSe2是一种二维半导体材料，其带隙宽度可由其厚度调控，赋予其在电子和光电子设备中的重要应用。MoSe2表现出出色的光电性能，光学性能和高载流子迁移率，被广泛应用于光电子器件，如光检测器，光电池，甚至量子器件。此外，由于其优良的催化性能，它还在能源转换和存储设备中有着重要应用，例如在电化学氢气生成中。
FeCl2是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。
NbS3是一种二维半导体材料，具有较低的对称性和优良的光学性能。此外，由于其良好的电子传输特性和高的电荷载流子迁移率，它在电子设备和光电器件中有广泛应用。
GaTeI是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。
InSe是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，InSe在电子设备和光电器件中有广泛应用。
CuInP2S6是一种二维材料，由于其低维度结构，它具有独特的电磁特性，如高导电性和优秀的光电特性，因此在电子和光电行业中有广泛应用。
WSSe一种二维半导体材料，具有较低的对称性和优良的光学性能。此外，由于其良好的电子传输特性和高的电荷载流子迁移率，它在电子设备和光电器件中有广泛应用。
Fe3GeTe2是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。
NiI2是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，NiI2在电子设备和光电器件中有广泛应用。
FePS3是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。
MnPSe3是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，MnPSe3在电子设备和光电器件中有广泛应用。
MnPS3是一种二维材料，具有卓越的光电和磁性能。作为一种具有低维度磁性的材料，MnPS3在自旋电子学中显示出巨大的潜力。此外，它的层状结构使其在各种电子和光电设备中具有应用潜力，包括光电子器件、磁性存储器以及能源存储和转换设备。
BaTiO3是一种重要的铁电材料，具有优异的电介电性能和压电性能。它广泛应用于电容器、传感器、压电驱动器等领域。BaTiO3的优势包括高压电系数、宽电介质常数范围和优良的压电稳定性，使其成为铁电器件和压电器件的理想材料。
SrTiO3是一种重要的氧化物材料，具有广泛的应用领域。它在电子器件、光电子器件、超导材料等领域中发挥着关键作用。SrTiO3的优点包括优异的介电性能、高电子迁移率和良好的热稳定性，使其成为多种功能材料的基础。
Fe:SrTiO3是掺铁的钛酸锶晶体，具有优异的电学、光学和磁学特性。它广泛应用于磁光器件、磁光存储和磁光调制器等领域。Fe:SrTiO3的优势包括可调节的电学、光学和磁学性质，使其在多功能器件中具有重要应用前景。
Nd:SrTiO3是掺钕的钛酸锶晶体，具有优异的光学和激光特性。它广泛应用于激光器、光学放大器和光通信系统等领域。Nd:SrTiO3的优势包括宽光学调谐范围、高激光效率和优良的光学稳定性，使其成为激光技术的关键材料之一。
Al2O3，也称为氧化铝或莫来石，是一种重要的陶瓷材料。它具有优异的高温稳定性、高硬度和化学稳定性，广泛应用于陶瓷制品、涂层、电子器件等领域。Al2O3的优势包括优良的绝缘性能、良好的耐磨性和高熔点，使其成为工程材料中的关键组分。
KTaO3晶体是一种重要的铌酸钾晶体材料，具有优异的物理和光学性能。它具有良好的光学透明性、高电子迁移率和优异的非线性光学特性。KTaO3晶体被广泛应用于光电子学、光学通信、光学传感器和非线性光学等领域。其优点包括广泛的光学调谐范围、高光学非线性系数和快速的光学响应速度，使其成为光学器件和光学材料研究中的重要材料之一。
PMN-PT是一种复合铅镁钛酸铁钾钪晶体材料，具有优异的压电和电致伸缩性能。它广泛应用于超声换能器、声光调制器、压电驱动器等领域。PMN-PT的优势包括高压电系数、宽电气耦合系数和优良的机械性能，使其成为压电材料领域的重要选择。
MgO，也称为氧化镁，是极罕见的耐高温无机材料。它具有优异的热稳定性、电绝缘性和化学稳定性，广泛应用于陶瓷制品、电子器件、光学涂层等领域。MgO的优点包括高熔点、良好的绝缘性和光学透明性，使其在多个领域中发挥着关键作用。
MgAl2O4是一种重要的尖晶石结构陶瓷材料，也被称为镁铝尖晶石。它具有优异的高温稳定性、机械强度和化学稳定性，广泛应用于陶瓷制品、涂层、电子器件等领域。MgAl2O4的优势包括高硬度、优良的耐磨性和优异的耐腐蚀性，使其在高温环境下具有广泛的应用前景。
LiAlO2是一种重要的锂铝氧化物晶体材料。它具有优异的电介电性能和热稳定性，广泛应用于电子器件、固态电池、光学涂层等领域。LiAlO2的优点包括高绝缘性、良好的化学稳定性和可调节的电学性能，使其在材料科学和电子领域具有重要地位。
LaAlO3是一种重要的钙钛矿结构氧化物材料。它具有优异的电介电性能和光学特性，广泛应用于电子器件、光学器件和薄膜材料等领域。LaAlO3的优势包括高介电常数、优良的热稳定性和较高的折射率，使其在多个应用领域中得到广泛应用。
LaSrAlO4是一种钙钛矿结构的氧化物晶体材料，具有优异的电介电性能和光学特性。它在电子器件、光学器件和薄膜材料等领域中具有广泛应用。LaSrAlO4的优点包括高介电常数、优良的热稳定性和良好的光学透明性，使其成为多功能材料的理想选择。
(La,Sr)(Al,Ta)O3是一种复合钙钛矿结构氧化物材料，具有优异的介电性能和热稳定性，是一种比较成熟的无孪晶钙钛矿晶体，与高温超导体和各种氧化物材料匹配有比较完好匹配。它有望取代铝酸镧（LaAlO3）和钛酸锶（SrTiO3）用于巨磁电和超导器件。
NdGaO3是一种重要的氧化物材料，具有优异的光学和电学性能。它广泛应用于激光器、光学波导和电子器件等领域。NdGaO3的优势包括高光学透明性、优良的热导性和化学稳定性，使其在光学器件和光电子学领域发挥重要作用。
TGG是一种重要的铽铁钆晶体材料，具有优异的磁光性能。它广泛应用于磁光调制器、光学隔离器和激光器等领域。TGG的优点包括大的磁光系数、宽光学透明范围和优良的光学稳定性，使其成为磁光器件的理想选择。
GGG是一种重要的钆铝铁石榴石晶体材料，具有优异的光学和磁学性能。它广泛应用于激光器、磁光存储和磁光调制器等领域。GGG的优势包括宽光学调谐范围、高磁光系数和优良的热稳定性，使其在光学和磁学领域中具有重要应用前景。
NaCl是一种重要的盐类晶体材料，具有广泛的应用领域。它在光学器件、生物化学实验、食品加工等领域中发挥着重要作用。NaCl的优点包括良好的光学透明性、化学稳定性和可调节的折射率，使其成为多个领域中的重要材料。
KBr是一种重要的溴化钾晶体材料，具有优异的光学和热学特性。它广泛应用于光学元件、红外窗口和光谱分析等领域。KBr的优势包括宽光学透明范围、优良的光学均匀性和稳定的化学性质，使其在光学和光谱学中得到广泛应用。
KCl是一种重要的氯化钾晶体材料，具有广泛的应用领域。它在光学器件、红外窗口、光学涂层等领域中发挥着关键作用。KCl的优点包括良好的光学透明性、优异的热传导性和化学稳定性，使其在多个领域中得到广泛应用。
金(Au)溅射靶具有卓越的电导率和对腐蚀与污损的抵抗力。这种材料在各种应用中被使用，范围从装饰涂层到先进的电子产品。
银溅射靶材是由高纯度的银制成，广泛用于物理气相沉积（PVD）涂层过程中。该过程涉及高能离子轰击银靶材，过程中会解除银原子。这些原子然后在衬底上形成薄膜。
铂溅射靶材是由高纯度的铂制成的。它们在微电子制造中广泛使用，在半导体行业创建高质量薄膜中起着重要的作用。
钯溅射靶材是由高纯度的钯制成，广泛用于薄膜沉积过程中，尤其在电子和催化行业中。
钌（Ru）溅射靶由钌制成，钌是一种稀有的过渡金属，属于周期表中的铂族。它有着闪亮的银色外观。钌的溅射靶在制造半导体行业的高密度和高性能的存储芯片中使用，因为它具有出色的电性能。
铱 (Ir) 溅射靶是用于制造薄膜设备的纯铱金属薄层。这种薄膜过程叫做溅射，涉及用高能粒子轰击固态铱靶，导致原子从靶中被喷射出来。这些原子然后沉积在基板上形成薄膜。铱，作为最密集和最抗腐蚀的金属之一，为各种薄膜应用提供了优秀的性质。
铝 (Al) 溅射靶在多种材料层的薄膜沉积中被广泛使用。溅射涉及从"靶" (在这种情况下是铝) 喷出材料，以沉积在基底 (如硅晶圆) 上。铝是一种轻质、强度高且导热性极好的金属，使其成为优秀的溅射靶。
铜 (Cu) 溅射靶是薄膜涂层工业中的关键材料，主要因其优越的电和热导电性能。这些由高纯度铜组成的靶材用于在各种电子设备中制造薄膜，使得高速数据传输和有效的热量散发成为可能。
钛 (Ti) 溅射靶用于沉积钛薄膜。钛是一种强度大、重量轻且具有很高腐蚀防护性的金属。它是各种薄膜应用的理想材料，包括半导体、装饰涂层和医疗设备。
镍 (Ni) 溅射靶主要用于通过物理气相沉积 (PVD) 制造薄膜。镍是一种硬度大、可塑性和延展性好的金属，具有高的热和电导电性，使其成为各种应用的理想选择。
铬 (Cr) 溅射靶用于沉积铬薄膜。铬是一种硬而脆的金属，以其高熔点和抗腐蚀性而闻名。由于其出色的金属属性，铬在薄膜行业中得到了广泛应用。
钴 (Co) 溅射靶用于沉积钴薄膜。钴是一种硬、有光泽的银灰色金属，以其磁性和高温稳定性而闻名，使其成为各种薄膜应用的理想材料。
铁 (Fe) 溅射靶用于沉积铁薄膜。铁是一种强硬的金属，具有磁性，使其成为各种薄膜应用的理想材料。
锰 (Mn) 溅射靶用于沉积锰薄膜。锰是一种硬而脆的金属，以其高熔点和抗氧化性而闻名，使其成为各种薄膜应用的理想材料。
锌 (Zn) 溅射靶用于沉积锌薄膜。锌是一种反应适中的、蓝白色的金属，会在湿气中变暗，在空气中燃烧时会发出明亮的蓝绿色火焰。锌应用在各种薄膜。
钒 (V) 溅射靶用于沉积钒薄膜。钒是一种硬的、银灰色的、有韧性和可塑性的过渡金属。钒对腐蚀具有良好的抗性，并且对碱、硫酸和盐酸稳定。
钨 (W) 溅射靶以其高熔点、强度和密度而闻名。作为一种多功能的耐火金属，钨靶在微电子、太阳能电池和装饰涂层等各种薄膜应用中得到了广泛使用。
铪 (Hf) 溅射靶用于沉积铪基薄膜。这些靶材以其高温阻力而闻名，经常用于集成电路、光纤电缆和核反应堆中的热中子吸收器等应用。
铌 (Nb) 溅射靶用于沉积铌基薄膜。这些靶材以其优越的超导性能而闻名，广泛用于超导磁体、电子设备和光学涂层等。
钼 (Mo) 溅射靶以其高熔点和优秀的热和电导性而闻名。它们在电子行业中得到了广泛的使用，特别是在薄膜晶体管、集成电路和太阳能电池的制造中。
镧 (La) 溅射靶用于沉积镧基薄膜。它们以其高折射指数而闻名，用于各种应用，如光学涂层、荧光物和催化剂。
铈 (Ce) 溅射靶用于沉积铈基薄膜。这些靶材以其优秀的抗氧化性而闻名，广泛用于催化剂、光学涂屆、和燃料电池等。
镨镀膜靶用于沉积镨基薄膜。它们通常应用于生产彩色玻璃和陶瓷、磁性合金以及某些类型的钢铁。
钕镀膜靶在生产钕基薄膜的过程中起着关键作用。其应用领域通常包括彩色玻璃、激光器和磁性合金。
钐镀膜靶用于沉积钐基薄膜。它们在生产磁体、激光器和核反应堆中发挥作用。
铕镀膜靶用于生产铕基薄膜。它们广泛应用于生产红色和蓝色磷光体、激光器和核反应堆。
钆镀膜靶用于沉积钆基薄膜。它们在磁共振成像(MRI)、计算机记忆和核反应堆屏蔽中找到了应用。
铽镀膜靶用于生产铽基薄膜。在磷光灯和激光器中应用。
镝镀膜靶用于生产镝基薄膜，在生产磁性合金、激光器和核反应堆中应用。
钌镀膜靶用于生产钌基薄膜。在生产红色和绿色磷光体、激光器和核反应堆中使用。
铒镀膜靶用于生产铒基薄膜，在生产红色和绿色磷光体、激光器和光纤通信中发挥作用。
铥镀膜靶用于生产铥基薄膜，用于生产红色和绿色磷光体、激光器和光纤通信中。
镱镀膜靶用于生产镱基薄膜，可用在生产红色和绿色磷光体、激光器和光纤通信中。
镥溅射靶用于沉积镥基薄膜，被广泛用于生产荧光粉、PET扫描仪和催化剂。
NiFe 靶材是由镍（Ni）和铁（Fe）混合而成的。其生产涉及高纯度材料，严格的制造控制和全面的测试程序。它具有高密度，导电性强，微观结构均匀，使其成为溅射系统中薄膜沉积的最佳选择。其主要应用包括磁性设备和抗腐蚀涂层。
镍钒（NiV）靶材是由镍（Ni）和钒（V）混合而成的。它以其高的溅射产率和低的杂质水平而闻名。NiV 靶材在生产储能设备和电化学电容器中有应用。
镍铬（NiCr）靶材是由镍（Ni）和铬（Cr）混合而成的。它以其高抗性和稳定性而闻名，这使其成为电路中电阻器的理想选择。随着世界趋向更紧凑和高效的设备，NiCr 溅射靶材的相关性持续上升，强调了其在推动技术发展中的重要性。
铝硅铜（AlSiCu）靶材结合了铝，硅和铜的特性。由于其出色的电气和热性能，这种靶材在半导体工业中被广泛应用。AlSiCu 靶材有助于产生用于许多高科技设备的高品质薄膜。
钛锆（TiZr）靶材是由钛（Ti）和锆（Zr）混合而成的。这种靶材以其优异的耐腐蚀性和机械性能而著称，使其在医疗器械和高科技行业中得到广泛应用。
钨钛（WTi）靶材是由钨（W）和钛（Ti）混合而成的。它具有良好的耐腐蚀性和高温性能，因此在空间应用和能源行业中有广泛的应用。
碳(C)溅射靶以其出色的电导和热导性能而备受关注。他们被用于各种应用，包括微电子和硬质涂层行业。
硅(Si)溅射靶以其高纯度和多功能性而备受关注，使其成为半导体、太阳能电池和薄膜应用的理想选择。
锗(Ge)溅射靶以其高纯度和优异的热性能而备受关注。他们被广泛应用于半导体和红外光学设备的制造中。
硼(B)溅射靶展示了独特的化学和物理特性，使其非常适合用于半导体设备和核技术的应用。
锑(Sb)溅射靶以其独特的性质如低热导性和脆性而受到赞赏。他们在电子行业和光伏材料中找到了应用。
碲(Te)溅射靶以其高导电性而备受关注，并用于制造半导体，热电设备和光伏电池。
氧化铝 (Al2O3) 溅射靶以其硬度和抗性而著称。他们的高纯度使其适用于各种光学、电子和结构应用。
二氧化硅 (SiO2) 溅射靶以其高纯度和多功能性而备受关注，使其成为半导体设备、微电子和光学应用等多种应用的理想选择。
二氧化钛 (TiO2) 溅射靶以其化学稳定性和高折射指数而受关注。他们在光学涂层、太阳能电池和光催化等应用中找到了用途。
氧化铬(III) (Cr2O3) 溅射靶以其耐腐蚀性和热稳定性而受关注，使其成为数据存储、装饰涂层和太阳能电池等应用的理想选择。
氧化镍(II) (NiO) 溅射靶因其出色的电气和磁性能而在各种电子应用中被广泛使用。他们纯度高，非常适合生产高质量的膜。
由于其优越的电气性能，氧化铜(II) (CuO) 溅射靶在半导体和其他电子设备中被广泛使用。他们具有高的热导率，并且耐腐蚀。
氧化锌 (ZnO) 溅射靶以沉积高品质的氧化锌薄膜而备受关注，具有出色的电气和光学性能。它们在薄膜晶体管、太阳能电池和LED的制造中得到广泛应用。
氧化锆 (ZrO2) 溅射靶以其高熔点和出色的抗腐蚀和耐磨性而备受关注。它们在制造陶瓷电容器和燃料电池中得到广泛的应用。
氧化铟锡 (ITO) 溅射靶因其出色的电导率和对可见光的透明度而在行业中备受珍视，是制作透明导电膜的理想选择。它们在平板显示器、智能窗户、基于聚合物的电子设备和薄膜太阳能电池等应用中得到了广泛的使用。
氧化铟锌 (IZO) 溅射靶因其高电导率和光学透明度而受到珍视，使它们特别适合用于光电子行业的应用，如平板显示器和薄膜太阳能电池。
由于具有良好的电导率和光学透明度，氧化铝掺杂氧化锌 (AZO) 溅射靶在电子行业中备受珍视。相较于 ITO，它的成本更低且不那么稀有，使其成为透明导电膜等类似应用的有吸引力的替代品。
二氧化铈 (CeO2) 溅射靶以其生产高品质薄膜的能力而备受关注，这些薄膜用于制造陶瓷和催化剂。这些靶材的高纯度确保了膜的一致性和均匀性。
三氧化钨 (WO3) 溅射靶在生产光伏和电致变色设备中用于制造高纯度薄膜，因其卓越的电导率和光学特性而备受赞誉。这些靶材能够实现有效的沉积和均匀性，这在各种应用中都至关重要。
二氧化铪 (HfO2) 溅射靶提供了出色的耐腐蚀性和稳定性，使其成为半导体设备中生产薄膜的理想选择。由于这些靶材的高折射指数和在各种波长下的低吸收系数，使其在高级应用中至关重要。
氧化铟镓锌 (IGZO) 溅射靶以其卓越的迁移率和透明度而备受关注，这在薄膜晶体管 (TFTs) 的制造中至关重要。这些靶材也具有低关断态电流和高开/关电流比，提高了设备性能。
氮化硼 (BN) 溅射靶材被广泛用于制备具有优异热导和绝缘性能的薄膜。由于其高热稳定性和化学惰性，它们在热界面材料、润滑涂层和电子器件中得到了广泛应用。
氮化铝 (AlN) 溅射靶材因其优异的导热性和绝缘性能而备受青睐。由于其高热稳定性和电绝缘性，它们在高功率电子器件、散热器和封装材料中得到了广泛应用。
氮化硅 (Si3N4) 溅射靶材因其优异的绝缘性和耐热性而备受重视。由于其高温稳定性和化学惰性，它们在高温环境下的隔热材料、电子器件和耐磨涂层中得到了广泛应用。
氮化钛 (TiN) 溅射靶材因其卓越的硬度和耐腐蚀性而备受青睐。由于其高硬度和化学稳定性，它们在硬质涂层、金属陶瓷和电子器件中得到了广泛应用。
氮化锆 (ZrN) 溅射靶材因其卓越的硬度和耐腐蚀性而备受重视。由于其高硬度和化学稳定性，它们在硬质涂层、陶瓷涂层和金属加工中得到了广泛应用。
氮化钽 (TaN) 溅射靶材因其优异的耐热性和耐腐蚀性而备受青睐。由于其高温稳定性和化学惰性，它们在高温环境下的电子器件、热电材料和阻燃涂层中得到了广泛应用。
硫化铁 (FeS) 溅射靶材因其独特的磁性和导电性能而备受关注。由于其优异的磁性和导电性，它们在磁性材料、磁存储器件和传感器中得到了广泛应用。
硫化锌 (ZnS) 溅射靶材因其优异的光学特性和半导体性能而备受青睐。由于其高透明性和卓越的光学特性，它们在光电器件、太阳能电池和显示技术中得到了广泛应用。
硫化铜 (CuS) 溅射靶材因其优良的导电性和光电特性而备受关注。由于其高导电性和光电响应性，它们在电子器件、光电器件和催化剂中得到了广泛应用。
硫化镓 (Ga2S3) 溅射靶材因其优异的光学和电学特性而备受瞩目。由于其高光电响应性和卓越的电学性能，它们在光电器件、传感器和太阳能电池中得到了广泛应用。
硫化铟 (In2S3) 溅射靶材因其优异的光学和电学性能而备受关注。由于其高光电响应性和卓越的导电性能，它们在光电器件、薄膜太阳能电池和传感器中得到了广泛应用。
二硫化钼 (MoS2) 溅射靶材因其优异的光学和电学性能而备受瞩目。由于其高透明性和卓越的电学特性，它们在光电器件、薄膜太阳能电池和传感器中得到了广泛应用。
三硫化锑 (Sb2S3) 溅射靶材因其优异的光学和电学性能而备受关注。由于其高光电响应性和卓越的导电性能，它们在光电器件、薄膜太阳能电池和传感器中得到了广泛应用。
硫化锡 (SnS) 溅射靶材因其优异的光电特性和可见光吸收性能而备受瞩目。由于其高吸收系数和光电响应性，它们在光伏器件、光催化和光电器件中得到了广泛应用。
硫化镉 (CdS) 溅射靶材因其优异的光学特性和半导体性能而备受关注。由于其高透明性和优异的光电特性，它们在光电器件、薄膜太阳能电池和传感器中得到了广泛应用。
银锌锡硫化物 (AgZnSnS4) 溅射靶材因其优异的光电特性和光吸收性能而备受瞩目。由于其在光伏器件和薄膜太阳能电池中的应用潜力，它们在可再生能源和光电器件领域中得到了广泛应用。
镁二硼化物 (MgB2) 溅射靶材因其优异的超导性能和独特的电学特性而备受关注。由于其在超导器件、磁学和电子器件中的应用潜力，它们在能源和电子领域中得到了广泛应用。
镧六硼化物 (LaB6) 溅射靶材因其优异的发射性能和热稳定性而备受关注。由于其在电子显微镜和阴极射线管中的应用潜力，它们在材料科学和电子学领域中得到了广泛应用。
二硼化钛 (TiB2) 溅射靶材因其优异的硬度和耐腐蚀性而备受关注。由于其在涂层、切削工具和陶瓷材料中的应用潜力，它们在材料加工和表面工程领域中得到了广泛应用。
硒化锌 (ZnSe) 溅射靶材因其优异的光学和电学性能而备受关注。由于其在光电器件、激光器和光学涂层中的应用潜力，它们在光电子学和光学领域中得到了广泛应用。
锌锑化物 (Zn4Sb3) 溅射靶材因其优异的热电性能和半导体特性而备受关注。由于其在热电器件、能源转换和半导体器件中的应用潜力，它们在能源和电子学领域中得到了广泛应用。
硒化镉 (CdSe) 溅射靶材因其优异的光学和电学性能而备受关注。由于其在光电器件、光学涂层和太阳能电池中的应用潜力，它们在光电子学和能源领域中得到了广泛应用。
碲化铟 (In2Te3) 溅射靶材因其优异的光电和热电性能而备受关注。由于其在光电器件、热电器件和磁学材料中的应用潜力，它们在光电子学、热电学和磁学领域中得到了广泛应用。
硒化锡 (SnSe) 溅射靶材因其优异的光电和热电性能而备受关注。由于其在光电器件、热电器件和能源转换中的应用潜力，它们在光电子学和能源领域中得到了广泛应用。
锗锑化物 (GeSb) 溅射靶材因其优异的热电性能和半导体特性而备受关注。由于其在热电器件、能源转换和半导体器件中的应用潜力，它们在能源和电子学领域中得到了广泛应用。
三硒化锑 (Sb2Se3) 溅射靶材因其优异的光电和热电性能而备受关注。由于其在光电器件、热电器件和能源转换中的应用潜力，它们在光电子学和能源领域中得到了广泛应用。
三碲化锑 (Sb2Te3) 溅射靶材由锑和碲元素组成的化合物。其独特的电子和热性质广受认可，使其在各种电子和光电子应用中具有极高的价值。Sb2Te3 是一种拓扑绝缘体，在表面态表现出优异的电导性，而在体态上则是绝缘体。这一特性为利用 Sb2Te3 制作自旋电子学器件、热电应用和相变存储器等提供了可能性。
碲化铋 (Bi2Te3) 溅射靶材因其优异的热电性能和顶ological特性而备受关注。由于其在热电器件、顶ological器件和能源转换中的应用潜力，它们在能源和电子学领域中得到了广泛应用。
三氧化钨(WO₃)
二氧化铪(HfO₂)
三氧化二钇(Yb₂O₃)
三氧化二铒(Er₂O₃)
三氧化二镧(La₂O₃)
二氧化铈(CeO₂)
二氧化锡(SnO₂)
三氧化二铌(Nb₂O₃)
二氧化锆(ZrO₂)
氧化锌(ZnO)
氧化亚铜(Cu₂O)
四氧化三铁(Fe₃O₄)
二氧化钛(TiO₂)
三氧化二硅(SiO₂)
二氧化硅 (SiO2)
二氧化铝(Al₂O₃)
硫化亚铜(CuS)
硫化锌(ZnS)
硫化锑(SbS)
二硫化钼(MoS₂)
二硫化锡(SnS₂)
二硫化钨(WS₂)
氮化硼(BN)
氮化铝(AlN)
硅氮化物(SiN)
氮化钛(TiN)
氮化钒(VN)
氮化镁(MgN)
氮化锆(ZrN)
氮化铪
氟化锂
氟化钙(CaF₂)
氟化钡(BaF₂)
氟化镁(MgF₂)
氟化铝(AlF₃)
三氟化镧(LaF₃)
三氟化钇(YF₃)
三氟化二铒(YbF₃)
三氟化铝钠(Na₃AlF₆)
硼碳化物(BC)
碳化硅(SiC)
碳化钛(TiC)
碳化钒(VC)
碳化钼(MoC)
碳化铌(NbC)
碳化铪(HfC)
碳化钽(TaC)
氯化镓（GaCl3）
氯化铟（InCl3）
氯化铝（AlCl3）
氯化铋（BiCl3）
氯化镉（CdCl2）
氯化铬(II)（CrCl2）
氯化铬(II)水合物（CrCl2(H2O)n）
氯化铜(I)（CuCl）
氯化铜(II)（CuCl2）
氯化铯（CsCl）
氯化铕（EuCl3）
氯化铕水合物（EuCl3.xH2O）
氯化镁（MgCl2）
氯化钠（NaCl）
氯化镍(II)（NiCl2）
氯化铟（InCl3）
硝酸铟水合物（In(NO3).xH2O）
氯化铷（RbCl3）
氯化锑（SbCl3）
氯化钐（SmCl3）
氯化钐水合物（SmCl3.xH2O）
氯化钪（ScCl3）
氯化碲(III)（TeCl3）
氯化钽(V)（TaCl5）
氯化钨(VI)（WCl6）
溴化铝（AlBr3）
溴化钡（BaBr2）
溴化钴(II)（CoBr2）
溴化镉（CdBr2）
溴化镓（GaBr3）
溴化镓水合物（GaBr3.xH2O）
溴化镍(II)（NiBr2）
溴化钾（KBr）
溴化铅（PbBr2）
溴化锆（ZrBr2）
溴化铋（BiBr4）
碘化铋（BiI3）
碘化钙（CaI2）
碘化钆（GdI2）
碘化钴(II)（CoI2）
碘化铯（CsI）
碘化铕（EuI2）
碘化锂（LiI）
碘化锂水合物（LiI.xH2O）
碘化镓（GaI3）
碘化钆（GdI3）
碘化铟（InI3）
碘化钾（KI）
碘化镧（LaI3）
碘化镥（LuI3）
碘化镁（MgI2）
碘化钠（NaI）
氧化镓同质外延片具有出色的电子和光电子性能。由于其带隙宽度大、光学透明度高、稳定性好等优点，氧化镓同质外延片在高频高功率电子器件、光电子器件和能源领域有着广泛的应用。
Pt/Ti/SiO2/Si单晶片是一种层状复合材料，具有多种应用。 Pt/Ti/SiO2/Si单晶片凭借其独特的物理化学性能，在微电子、热电、光电子等领域具有广阔的应用前景。在应用中，如何制备出高质量的Pt/Ti/SiO2/Si单晶片，以及如何精确调控其性能是重要课题。
钇稳定的氧化锆陶瓷（Yttria-Stabilized Zirconia），是一种重要的陶瓷材料。它由氧化锆和稳定剂钇氧化物组成，具有优异的热、机械和化学性能。YSZ陶瓷在固体氧化物燃料电池、热障涂层、高温结构材料等领域具有广泛的应用。YSZ陶瓷的优势包括高热稳定性、良好的导电性和优异的化学惰性，使其成为高温应用领域的关键材料之一。
铝单晶作为一种优异的材料，其轻质高强、优异的导电性、导热性和耐腐蚀性使其在航空、汽车、电子、建筑和包装等领域具有广泛的应用。其在现代工业和生活中的重要地位不可忽视。
铜单晶是指其晶体结构完全由铜原子组成，没有晶界和晶界滑移，因此具有优异的物理、化学性质和机械性能。它通常通过高纯度的熔融法或单晶生长技术制备而成。铜单晶在微电子、半导体、光学和材料科学等领域具有重要的应用价值。
8%mol.钇稳定氧化锆（8YSZ，YSZ-8）是一种高温耐火陶瓷材料，由8%氧化钇稳定的氧化锆组成。多种等级和纯度可用于牙科修复、涡轮叶片结构陶瓷、防弹和装甲陶瓷，以及离子导电用途，如燃料电池电解质。可以产生各种表面区域。形式包括流延带粉末、丝网印刷油墨、等离子喷涂/热喷涂粉末以及亚微米和纳米粉末。专有配方可以在保密协议下生产。其他技术信息，如电阻率和油墨流变学数据，以及安全（MSDS）信息也可用。
红外激光晶体是一种特殊的晶体材料，能够在红外光波段（通常指1至100微米）产生激光辐射。这些晶体通常是由某些稀土元素（如铥、铒、镱、钬、铬等）组成的晶体。 它们的工作原理基于稀土离子（或其他特定元素）的激发和跃迁过程，通过外部的激发源（例如激光二极管或其他激光器）将电能或光能转化为红外激光辐射。
铌酸锂薄膜是一种由铌酸锂（LiNbO₃）材料制成的薄膜，它具有许多优异的性质，使其在电子、光学和通信领域等方面得到了广泛的应用。
钽酸锂薄膜是一种由钽酸锂(LiTaO3)材料制成的薄膜。LiTaO3是一种具有独特电学性能的晶体材料，通常用于压电器件和光学器件的制造。
生产基于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和锑化铟（GaSb）为衬底的高性能高质量化合物半导体材料。
高纯氧化镓粉末原料为白色三角形的结晶颗粒。微溶于热酸或碱溶液；不溶于水。在氢气流中加热到红色即还原成一氧化镓。 可用于生产氧化镓单晶，钆镓石榴石，半导体发光材料、太阳能及特种玻璃，也可用做冶金添加剂。 二面体提供国产及进口不同来源的高纯Ga2O3原料粉末。
氮化镓外延片（GaN epitaxial wafer）是一种关键的半导体材料，通常用于制造高频、高功率和高温电子器件，例如高电子迁移率晶体管（HEMTs）、光电器件等。氮化镓具有许多优异的特性，包括高电子迁移率、较高的击穿电场强度、优异的热稳定性以及较小的杂质浓度。
C60的分子结构为球形32面体，它是由60个碳原子通过20个六元环和12个五元环连接而成的具有30个碳碳双键的足球状空心对称分子，所以，富勒烯也被称为足球烯。
硅外延片常用于半导体制造领域，特别是在集成电路制造中。通过外延工艺，可以在同一硅片上实现不同的硅层，每一层具有不同的电学特性。这有助于在同一芯片上集成不同功能的器件，提高集成度和性能。
YIG（Yttrium Iron Garnet，钇铁石榴石）属于石榴石家族。它的化学式为Y3Fe5O12，其中Y代表钇原子，Fe代表铁原子，O代表氧原子。YiG具有磁性和光学特性，被广泛应用于光学器件和微波器件领域。
氮化铝（AlN）具有宽带隙（6.2eV）、超高击穿电压以及与高铝含量AlGaN外延层的完美晶格匹配，可广泛应用于深紫外探测器、半导体激光器和高功率微波器件。
Ce:CLLB晶体是最亮的钙长石晶体之一，其光产率至少是CLYC的两倍（高达55000 ph/MeV）。优越的比例性和高的光产率使最佳晶体在662keV（接近LaBr3:Ce）下具有优异的2.9%的能量分辨率和快速衰减时间。所选成分含有Li-6离子，CLLB:Ce晶体显示出热中子探测效率（FOM≥1.5）。
冰洲石，化学成分为CaCO3，是无色透明纯净的方解石（Calcite），由于其具有特殊的物理性能，被称为特种非金属矿物。最早是发现于冰岛，故被称为"冰洲石"。在白色透明晶体矿物中具有最高的双折射率和偏光性能。优质冰洲石的晶体产于玄武岩的方解石脉和沸石方解石脉中。
二面体科技提供多种与光学晶体、玻璃、陶瓷及金属材料相关的加工订制服务。 如晶体生长、单晶薄膜外延、切割研磨抛光，光学元件加工镀膜，极紫外光学镀膜，陶瓷产品烧制加工等。
GaSe是光电和非线性光学领域的重要材料，是一种层状半导体材料，具有六方晶系结构，每层由Ga和Se原子交替排列，层间由弱的范德华力结合。这种结构使得GaSe易于剥离成薄片。
生铁是从高炉中提炼铁矿石时获得的初级产品，碳的含量较高，通常在2%到4%之间，还含有硅、锰、磷和硫等杂质。 生铁硬度高，脆性大，不适于锻造，但可以用于铸造。
ε-Ga₂O₃凭借其极化特性、高击穿电场和宽带隙，成为高频、高功率电子器件的理想材料。
