氮化镓GaN外延片

氮化镓外延片（GaN epitaxial wafer）是一种关键的半导体材料，通常用于制造高频、高功率和高温电子器件，例如高电子迁移率晶体管（HEMTs）、光电器件等。氮化镓具有许多优异的特性，包括高电子迁移率、较高的击穿电场强度、优异的热稳定性以及较小的杂质浓度。

氮化镓外延片的生产通常采用金属有机气相沉积（MOCVD）技术。在这个过程中，氮化镓的薄膜被沉积在衬底上，形成多层结构。

氮化镓外延片的厚度可以根据特定应用的要求定制，通常在数微米到几十微米之间。

常用的衬底材料包括蓝宝石（sapphire）和硅（Si）。

射频和微波器件：氮化镓外延片广泛应用于射频功率放大器、微波功率放大器等高频率设备中，特别是在通信和雷达系统中。
光电器件：氮化镓外延片也可以用于制造LED（发光二极管）、激光器、光电探测器等光电器件。
功率电子器件：氮化镓外延片也可用于制造功率开关器件，如高电压高电流的功率开关器件。

宽带隙半导体：氮化镓拥有较大的带隙能隙，使其在高功率、高频率电子器件中表现出色。
高电子迁移率：氮化镓的电子迁移率远高于许多其他半导体材料，这使得它在高频应用中特别有用。
高热稳定性：氮化镓可以在高温环境下工作，这使得它在高功率器件中表现出色。

定制参数实例。

硅基氮化镓GaN外延片

蓝宝石基外延片

EPITAXY STRUCTURE		THICKNESS (nm)	Al COMPOSITION (%
4	GaN	2.0±0.5	■
3	AlGaN	22±1	24.5±0.5
2	GaN	300±50	■
1	Buffer	SYTtech Proprietary Buffer Layer
0	Substrate	Diameter:100-mm
EPITAXIAL LAYERS PROPERTIES		VALUE/RANGE
GaN Crystallinity -GaN(002) -GaN(102 Surface roughness GaN Thickness Uniformity		<150 arcsec <350 arcsec <0.5nm(5umx5um <3%
Sheet Resistance Tageted average Uniformity(STD		400±10(0hm/sq <3%
SUBSTRATE:Al₂O₃		SPECIFICATIONS
Diameter (mm)		100.0±0.1
Thickness (um		650±25
Orientation		C-Plane,0.2±0.1°to M-plane
Surface		Single-sided polished