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镓酸钕 NdGaO3
镓酸钕(NdGaO3)主要用作高温超导体(如YBCO)和磁性材料外延薄膜生长的衬底。由于NdGaO3和YBCO之间的晶格失配非常小(~0.27%),并且没有结构相变,因此可以在NdGaO3衬底上外延生长质量良好的薄膜。
二面体科技提供多种规格订制的高质量NdGaO3材料
应用
主要用作高温超导体(如YBCO)和磁性材料外延薄膜生长的衬底。
特点
• 镓酸钕 NdGaO3和YBCO之间的晶格失配非常小(~0.27%),并且没有结构相变,可以在NdGaO3衬底上外延生长出高质量的薄膜。
• 钕酸镓是一种优秀的电介质材料,具有较高的介电常数和较低的损耗。
• NdGaO3具有优秀的热稳定性,能在高温条件下保持良好的性能。
• NdGaO3是一种优良的衬底材料,尤其适合于生长一些具有复杂结构的薄膜,例如钙钛矿结构的薄膜。
• NdGaO3具有很高的晶体质量,其晶体结构完整,无明显晶体缺陷,使其在电子和光学应用中具有优良性能。
• NdGaO3具有较宽的能带间隙,使其在紫外区具有良好的光学透明性。
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晶体结构
正交
晶胞参数Å
a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔点
1600℃
密度
7.57g/cm3
介电常数
25
生长方法
提拉法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100> <110> <111>
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室