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锗 Ge
锗(Ge)是元素周期表上的一种元素,原子序数为32,在自然界中以含量极低的方式存在。锗单晶具有立方结构,即每个锗原子都由四个等距的锗原子环绕,形成了一种非常稳定的结构。这种结构使得锗单晶具有良好的电学和光学性能。
锗单晶有几个重要的性能优势。首先,它有高载流子迁移率,锗的电子和空穴迁移率都比硅高,这使得在一些特定应用中,如高速电子设备中,锗可以提供更高的速度。其次,锗具有良好的光学性能,能带宽度适中,可以吸收并发射一定范围内的光,特别是在红外区域,这使得锗在光电子学和光纤通信等领域有着广泛的应用。最后,相比于硅,锗的工作温度范围更宽,这使得它在某些需要在极端温度下工作的设备中有应用潜力。
锗单晶被广泛应用在高速电子设备中,其高载流子迁移率非常适合这类设备。在光电子学领域,锗的光学性能使其成为一种重要的材料。此外,锗合金也被用作热电材料,能够在热能和电能之间进行转换。
锗单晶的应用前景广阔,但由于其在地壳中的含量较低,开采成本较高,因此,如何有效提高锗的利用效率和回收率,是未来锗单晶发展的重要方向。同时,随着科学技术的进步,我们可以预见,锗在新能源、纳米技术、半导体技术、光电子学等领域的应用将会更加广泛。
二面体科技提供多种规格订制的高质量Ge晶体材料
应用
• 高频电子设备
• 高速电子设备
• 光学电子设备
• 红外光学元件
特点
• 高载流子迁移率
• 良好的光电性能
• 稳定的化学性质
• 优秀的热传导性
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晶体结构
立方
晶格常数
a=5.65754Å
密度
5.323(g/cm3)
硬度
4(mohs)
熔点
937.4℃
生长方法
提拉法
掺杂物质
不掺杂
掺Sb
掺In或Ga
类型
/
N
P
电阻率Ωcm
>35
0.05
0.05-0.1
EPD
<4×103/cm2
<4×103/cm2
<4×103/cm2
晶向
<111>、<100>、<110>±0.5º
尺寸(mm)
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室