磷化铟 InP

磷化铟（InP）是一种具有锌矾结构的III-V族半导体，其性能优势主要源自其优异的电子和光电特性。其高的电子迁移率使得InP成为了微波频率设备的理想选择，而其优良的光电特性使其在光电子设备和光纤通信中得到了广泛的应用。同时，InP的大热导率和低折射率也使得它在各种应用中表现出了优秀的性能

磷化铟的应用领域非常广泛，从光电子设备，光纤通信，微波设备到太阳能电池等，其独特的性能使得它在这些领域中都有着不可替代的地位。而随着科技的不断发展，磷化铟的应用领域也将不断扩大，尤其是在新能源、通信和半导体设备领域，磷化铟的应用将有着巨大的潜力。

随着对高频、高速、小型化和绿色能源技术需求的不断增长，磷化铟的需求也将不断增加。同时，由于磷化铟的生产过程比较复杂，且资源有限，因此在未来，如何提高磷化铟的生产效率和利用率，将成为科研和产业界的重要课题。总的来说，磷化铟作为一种优秀的半导体材料，将在未来有着更广阔的发展前景。

二面体科技提供多种规格订制的高质量InP晶体材料

应用

- 光电子设备：如激光二极管、光电探测器等。
- 光纤通信：作为光纤通信系统中的高速光电转换器件。
- 微波设备：在高频微波设备中，可作为高电子迁移率晶体管（HEMTs）的衬底材料。
- 太阳能电池：用于制作高效的多结太阳能电池。

特点

- 高的电子迁移率：这使得InP适合制造高频和高速电子设备。
- 优良的光电特性：InP的直接带隙使其具有优秀的光电效应，非常适合光电子和光通信应用。
- 大的热导率：相对于其他半导体材料，InP具有较大的热导率，有利于设备的散热。
- 较低的折射率：InP的折射率较低，可以减少光信号在光纤通信中的衰减。

晶体	结构	晶向	熔点 ^oC	密度 g/cm³	禁带宽度
InP	立方, a=5.869 A	<100>	1600	4.79	1.344

主要性能参数
单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度 cm^-3	迁移率(cm²/V.s)	位错密度(cm^-2)	标准基片
InP	本征	N		(0.4-2)´10¹⁶	(3.5-4)´10³	£5´10⁴	Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm
InP	S	N		(0.8-3)´10¹⁸ (4-6)´10¹⁸	(2.0-2.4)´10³ (1.3-1.6)´10³	£ 3´10⁴ £2´10³	Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm
InP	Zn	P		(0.6-2) ´10¹⁸	70-90	£ 2´10⁴	Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm
InP	Te	N		10⁷-10⁸	³2000	£3´10⁴	Φ2″×0.35mm Φ3″×0.35mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室

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