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硅 Si
硅是周期表第14组的元素,原子序数为14,是一种四价元素。硅单晶的结构为面心立方晶体结构,在这种晶体中,每个硅原子与四个相邻的硅原子共享电子,形成稳定的四面体结构。这种结构使硅具有良好的热稳定性和化学稳定性。
硅单晶是半导体工业的核心材料,其性能为灰黑色,具有金属光泽,熔点高(1410°C)、硬度高、脆性。广泛应用于电子、光电子、微电子等领域,特别是太阳能电池、电子元器件制造等方向。
硅单晶的性能优势包括半导体性质、高热导率、高介电常数和良好的机械性能。硅的电导率在导体和绝缘体之间,可以通过掺杂改变其导电性,因此被广泛应用于半导体行业。硅具有较高的热导率,这在电子器件中很重要,因为它有助于降低器件工作时的温度。硅的介电常数较高,使得它在微电子器件中有更多的应用。硅单晶具有优良的机械性能,使其在制备微电机等微系统中有很好的应用。
由于其优良的光学性能和机械性能,硅单晶在光电子器件、生物传感器和微电机等微纳系统领域也有广泛应用。
随着科技的进步和微电子技术的发展,对硅单晶的需求会进一步增加。随着人们对环保和可持续发展的重视,硅单晶在太阳能电池等新能源领域的应用也将得到更多的推动。另外,由于硅单晶在光电子器件、生物传感器和微电机等微纳系统领域的优良性能,预计这些领域的应用也会有所增加。
二面体科技提供多种规格订制的高质量Si晶体材料
应用
• 电子元件制造
• 光学电子设备
• 微电子技术
• 太阳能电池
特点
• 高纯度
• 优良的半导体特性
• 完整的晶体结构
• 稳定的物化性质
-
主要性能参数
晶体结构
面心立方
熔点(℃)
1420
密度
2.4(g/cm3)
掺杂物质
不掺杂
掺B
掺P
类 型
I
P
N
电 阻 率
Ø 1000Ωcm
10-3~40Ωcm
10-3~40Ωcm
E P D
≤100∕cm2
≤100∕cm2
≤100∕cm2
氧含量(∕cm3)
≤1~1.8×1018
≤1~1.8×1018
≤1~1.8×1018
碳含量(∕cm3)
≤5×1016
≤5×1016
≤5×1016
尺寸
10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm,
Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia100mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片
厚度
0.5mm、1.0mm
尺寸公差
<±0.1mm
厚度公差
<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)
抛光
单面或双面
晶面定向精度
±0.5°
边缘定向精度
2°(特殊要求可达到1°以内)
取向
<100>、<110>、<111>等
包装
100级洁净袋,1000级超净室
直径
2"
3"
4"
5"
6"
8"
12"
级别
优级/研究级
测试/二级
三级
生长方法
CZ, FZ,FZ-NTD,FZ-GD
CZ
CZ
晶向
< 1-0-0 > , < 1-1-1 >
<1-0-0>
<1-0-0>
类型/掺杂
P/硼 , N/磷, N/砷, N/锑
P/硼
P/硼
厚度 (μm)
279
380
525
625
675
725
775
厚度公差
标准 ± 25µm, 最佳能力 ± 10µm
± 25µm
± 25µm
电阻率
0.001 - 100 ohm-cm; 1,000-10,000 Ω•cm; >10,000 Ω•cm; >20,000 Ω•cm;
0.001 - 100 ohm-cm
0.001 - 100 ohm-cm
表面加工
P/E , P/P, E/E, G/G
SSP
DSP
TTV (μm)
Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um
<10μm
Not Sure
Bow/Warp (μm)
Standard <40 um, Maximum Capabilities <30 um
<40μm
Not Sure
颗粒
<10@0.3μm
<10@0.3μm
Not Sure