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氧化锌 ZnO
氧化锌(ZnO)单晶结构独特,属于六方晶系,是一种重要的宽禁带半导体材料。其禁带宽度大约为3.37eV,大势垒特性使得其具有良好的耐高温、高压和高频的性能。同时,其优秀的光学性能和高电子迁移率,使其在透明导电薄膜、光电子器件和电压保护器件等领域有着广泛的应用。
氧化锌的应用范围广泛,包括太阳能电池、显示器、触摸屏、有机发光二极管、紫外光电子器件、传感器、催化剂、磁性材料等。随着科技的发展,其应用领域还在不断扩大。
在未来,氧化锌的发展前景十分广阔。其良好的物理特性和化学稳定性使其在新能源、新材料、环保、传感器等领域有着巨大的应用潜力。而随着生产技术的提高和成本的降低,氧化锌的应用将更加广泛。
二面体科技提供多种规格订制的高质量ZnO晶体材料
应用
氧化锌ZnO单晶的应用范围:
-作为透明导电薄膜材料在太阳能电池、显示器、触摸屏和有机发光二极管等领域应用。
-制作紫外光电子器件,如紫外光检测器和紫外激光二极管等。
-制备气敏器、振荡器、传感器等器件。
-制备催化剂和磁性材料。
-制备电压保护器件,如瞬态抑制二极管、电涌保护器件等。
特点
-宽禁带和大势垒:ZnO是宽禁带半导体,禁带宽度约为3.37eV,具有大势垒的特性,有利于电子器件在高温、高压、高频等环境下稳定运行。
-优良的光学性能:ZnO具有优良的光学性能,是一种良好的透明导电薄膜材料。
-高电子迁移率:ZnO具有高电子迁移率,有利于提高电子器件的性能。
-良好的化学稳定性和耐热性:ZnO具有良好的化学稳定性和耐热性,适合在苛刻环境下使用。
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结构
六方
晶格常数
a=3.252Å c=5.313 Å
密度
5.7(g/cm3)
生长方法
Hydrothermal
莫氏硬度 (Mho)
4(mohs)
熔点
1975℃
热膨胀系数
6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
比热
0.125 cal /g.m
热电常数
1200 mv/k @ 300 ℃
热导率
0.006 cal/cm/k
透过范围
0.4-0.6 um > 50% at 2mm