锑化镓 GaSb

锑化镓（GaSb）是一种III-V族半导体材料，其单晶结构为闪锌矿型。性能优势包括宽的可调谐波段和高的载流子迁移率，特别适用于制造红外探测器和热电发电设备。在应用方面，GaSb被广泛应用于红外探测器，特别是短波和中波红外探测器，以及热电发电的基础材料和制造中红外区域的激光器。其发展前景主要在于红外探测和能源利用等领域的需求增长，以及在新型红外激光器和其他光电子设备领域的潜力。

二面体科技提供多种规格订制的高质量GaSb晶体材料

应用

-红外探测器：适用于短波和中波红外探测器。
-热光电池：作为热电发电的基础材料。
-激光器：用于制造中红外区域的激光器。

特点

-宽的可调谐波段：使得GaSb在红外探测和激光器制造方面有优势。
-高的载流子迁移率：有利于高速设备的制造。

单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度 cm^-3	迁移率(cm²/V.s)	位错密度(cm^-2)	标准基片
GaSb	本征	P		(1-2)´10¹⁷	600-700	£1´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Zn	P		(5-100) ´10¹⁷	200-500	£1´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
GaSb	Te	N		(1-20)´10¹⁷	2000-3500	£1´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室

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