镓酸钕 NdGaO3

镓酸钕(NdGaO3)主要用作高温超导体(如YBCO)和磁性材料外延薄膜生长的衬底。由于NdGaO3和YBCO之间的晶格失配非常小(~0.27%),并且没有结构相变,因此可以在NdGaO3衬底上外延生长质量良好的薄膜。

二面体科技提供多种规格订制的高质量NdGaO3材料

应用

主要用作高温超导体(如YBCO)和磁性材料外延薄膜生长的衬底。

特点

• 镓酸钕 NdGaO3和YBCO之间的晶格失配非常小(~0.27%),并且没有结构相变,可以在NdGaO3衬底上外延生长出高质量的薄膜。
• 钕酸镓是一种优秀的电介质材料,具有较高的介电常数和较低的损耗。
• NdGaO3具有优秀的热稳定性,能在高温条件下保持良好的性能。
• NdGaO3是一种优良的衬底材料,尤其适合于生长一些具有复杂结构的薄膜,例如钙钛矿结构的薄膜。
• NdGaO3具有很高的晶体质量,其晶体结构完整,无明显晶体缺陷,使其在电子和光学应用中具有优良性能。
• NdGaO3具有较宽的能带间隙,使其在紫外区具有良好的光学透明性。

  • 晶体结构

    正交

    晶胞参数Å

    a=5.43、b=5.50、c=7.71

    熔点

    1600℃

    密度

    7.57g/cm3

    介电常数

    25

    生长方法

    提拉法

    尺寸

    10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

    厚度

    0.5mm,1.0mm

    抛光

    单面或双面

    晶向

    <100>  <110>  <111>

    晶面定向精度:

    ±0.5°

    边缘定向精度:

    2°(特殊要求可达1°以内)

    斜切晶片

    可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

    Ra:

    ≤5Å(5µm×5µm)

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室