氮化铝AlN晶体/衬底/外延片

1.高温功率电子器件，如高温功率放大器、开关和整流器。
2.创建UV LED。这些LED在污染检测和生物传感等领域有着广泛的应用。
3.无线通信、传感和滤波器等应用。
4.射频功率放大器、射频开关和射频滤波器。
5.高效散热器、热传感器和高功率电子设备的冷却解决方案。
6.电子和光子集成器件，例如光电子集成芯片和传感器。
7.超声波传感器，用于测量、检测和成像等领域。

1.氮化铝具有大的带隙能隙，通常在6和6.2电子伏特（eV）之间，这使得它在紫外线和深紫外光的应用中非常出色。
2.氮化铝具有优异的导热性，通常在150至320的导热率（W/m·K）之间，这使其在大功率电子器件和热管理中发挥着重要作用。它可以有效散热，降低器件温度，提高器件的稳定性和性能。
3.氮化铝的高电子迁移率使其成为高频电子器件的理想材料。这在RF应用中尤其重要，例如RF功率放大器和RF开关。
4.声表面波性能好。
5.氮化铝具有良好的化学稳定性，适用于各种环境和应用。
6.氮化铝由于其宽的带隙，在光学传感器、光学通信和光学器件中具有潜在的应用。