砷化镓 GaAs

砷化镓（GaAs）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，其带隙宽度约为1.43 eV，与硅相比，GaAs具有更高的电子迁移率，使其在制造高速电子器件，如射频器件和光电子器件等方面有着优势。

GaAs晶体具有良好的光学性能，可以用于制造激光器、光电二极管、太阳能电池等光电子器件。同时，由于GaAs的高电子迁移率，它也广泛用于制造高速电子器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和赝势功率FET（PHEMT）等。

尽管GaAs晶体的制备工艺比硅复杂，成本也更高，但由于其在高速、高频、光电子等领域的优越性能，使其在许多特殊应用中得到了广泛的使用。在未来，随着制备工艺的进步和成本的降低，我们可以预期GaAs晶体在高速通信、光电子和太阳能电池等领域的应用将进一步扩大。

二面体科技提供多种规格订制的高质量GaAs晶体材料

-微波射频应用：如手机，无线网络设备中的功率放大器。
-光电子设备：如太阳能电池、激光二极管和光电探测器等。
-集成电路：如电子开关，信号处理器等。

-高的电子迁移率：有利于高频和高速设备的制造。
-良好的光电特性：适合用于光电器件的制造。
-低噪音：在射频应用中有优势。

单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度cm-3	位错密度cm-2	生长方法最大尺寸	标准基片
GaAs	None	Si		/	<5×105	LEC HB Dia3″	Dia3″×0.5 Dia2″×0.5
	Si	N		>5×1017
	Cr	Si		/
	Fe	N		~2×1018
	Zn	P		>5×1017
尺寸（mm）			25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室