氮化镓 GaN

氮化镓（GaN）是一种直接带隙半导体材料，带隙宽度约为3.4 eV，因此它在紫外和可见光谱区域都有较高的发光效率，广泛用于制造蓝光和白光发光二极管（LED）和激光二极管（LD）。此外，GaN还具有良好的热稳定性，较大的击穿电场和高电子饱和漂移速度，使其成为制造高功率、高频率电子器件的理想材料，如微波射频器件和功率电子器件。

GaN晶体结构稳定，一般为六方晶系，其物理特性使其在高温、高电压和辐射环境中具有出色的性能。尽管GaN晶体的制备工艺复杂，生产成本较高，但由于其在光电子和功率电子领域的重要应用，人们对其研究的兴趣一直很高。

在未来，随着制备技术的进步，我们可以预期GaN晶体在光电子、电力电子、无线通信等领域的应用将进一步扩大。并且，由于GaN的宽带隙特性和高功率特性，它还有望在新能源汽车、智能电网、5G通信等领域发挥关键作用。

二面体科技提供多种规格订制的高质量GaN晶体材料

应用

• LED灯：由于其宽的控制带特性，GAN被广泛用于制作蓝白LED灯。这些LED灯的效率和寿命优于传统的发光材料.
• RF（RF）应用：GAN由于其较高的电子迁移率，已广泛应用于RF功率放大器和RF前端模块，如雷达系统、通信设备和无线基站。
• 电力电子：GAN在电源转换和电源管理系统中有许多应用，例如开关电源和电动汽车电源系统。
• 太阳能电池：GAN的宽控制带和高抗辐射特性使其成为制造太阳能电池的理想材料，尤其是航空航天应用的太阳能电池。
• 激光二极管：GAN可用于制造蓝色和紫色半导体激光管。这些半导体激光管广泛用于显示、存储和医疗应用。

特点

氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料，具有许多独特的物理和电子特性，这使得它在多种领域中具有显著的优势：

• 宽禁带：GaN的禁带宽度约为3.4 eV，这意味着它可以承受高电场强度而不导电，因此在高电压条件下仍保持良好的性能。
• 高电子迁移率：GaN材料具有高的电子迁移率，这使得它们在高频电子设备中有优秀的性能。
• 高热导率：GaN能有效地散发热量，有助于电子设备的冷却。
• 高强度和硬度：GaN材料本身非常坚硬和稳定，适应在恶劣环境下工作。
高辐射抵抗：GaN对辐射具有很强的抵抗力，适合在高辐射环境中使用。

类型	自支撑GaN衬底				Al2O3复合基片外延GaN
型号	F1010U F1015U	F1010N F1015N	F1010SI F1015SI	F50U F50-N F50-SI	F100U F100N	U50S U100S N50S N100S
尺寸	10.0×10.5mm², 10.0×15mm², Φ50.8mm, Φ100mm, 订制
厚度	300 ± 25 µm, 350 ± 25 µm, 400 ± 25 µm, 订制
晶向	C-axis(0001) ± 0.25°
总厚度偏差TTV	≤15 µm
弯曲度BOW	≤20 µm
导电类型	N-型	N-型	半绝缘	根据需要订制。
电阻率(300K)	<0.5 Ω·cm	<0.05 Ω·cm	>10⁶ Ω·cm
位错密度	From 1 x 10⁵ to 3 x 106 cm^-2
可用表面积	> 90%
抛光	前表面: Ra < 0.2nm. 衬底级。后表面: 细磨.

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