硒化铟 InSe

铟硒化物(InSe)是一种新型的二维半导体材料，因其优异的光电特性及电荷迁移率在光伏电池、光电子器件和光探测器等领域具有极大的应用潜力。
InSe属于层状晶体，厚度可通过剥离技术调整，其带隙可通过厚度调控，为器件应用提供了更大的灵活性。由于InSe的高电子迁移率及优异的光电响应，使得它在光电探测和光伏应用中具有优势。
然而，InSe在实际应用中存在着稳定性问题，特别是在空气中的稳定性。此外，如何实现InSe的大规模生产和优化剥离技术也是当前研究的重点。

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