砷化铟 InAs

砷化铟（InAs）是一种具有闪锌矿型单晶结构的III-V族半导体材料。InAs的主要优势在于其高的电子迁移性能和低的有效电子质量，这两点使得InAs在电子器件的高速运行方面具有显著优势。此外，InAs还拥有良好的光电特性，特别是对于长波红外光，InAs的吸收性和敏感性都非常强。

InAs被广泛应用于高速电子设备制造，尤其是在制造长波红外探测器和高电子迁移率晶体管方面。这主要得益于InAs高电子迁移性，使其在高速电子设备制造上具有显著优势。另外，由于InAs对长波红外光的强敏感性，使其在红外探测器制造上占据重要地位。此外，InAs还在光电器件制造中有广泛应用，如光敏电阻、光电二极管等。

随着电子设备向更高频、更高速发展，以及红外技术的进步，InAs的需求将持续增长。但同时，InAs的生产过程中存在一定的技术难度，提高生产效率和降低成本将是未来研究的重要课题。总的来说，InAs是一种性能优越的半导体材料，有着广阔的应用前景和发展潜力。

二面体科技提供多种规格订制的高质量InAs晶体材料

应用

-红外探测器：尤其是用于长波红外探测器。
-高速电子设备：如高电子迁移率晶体管等。
-光电器件：用于制造各种光电器件。

特点

-红外探测器：尤其是用于长波红外探测器。
-高速电子设备：如高电子迁移率晶体管等。
-光电器件：用于制造各种光电器件。

单晶	掺杂	导电类型		载流子浓度 cm^-3	迁移率(cm²/V.s)	位错密度(cm^-2)	标准基片
InAs	本征	N		5´10¹⁶	³2´10⁴	<5´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	Sn	N		(5-20) ´10¹⁷	>2000	<5´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	Zn	P		(1-20) ´10¹⁷	100-300	<5´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	S	N		(1-10)´10¹⁷	>2000	<5´10⁴	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
尺寸（mm）			Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光			单面或双面
包装			100级洁净袋，1000级超净室

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