铱Ir(T)

铱 (Ir) 溅射靶是物理气相沉积 (PVD) 过程的关键组件，PVD 是一种常用的生产薄膜的方法。铱是铂族金属，具有独特的物理和化学性质，包括高熔点、优越的热稳定性、高密度和卓越的抗腐蚀性。这些性质使铱成为溅射靶的理想材料。铱靶被用于制造半导体，生产耐磨涂层，化学反应的催化剂和生产氯的电极。此外，铱的高密度和低反应性使其在用于高温熔炼应用的坩埚中很有用。RF 和 DC 磁控溅射可以成功地执行铱靶，进一步扩大了其实用性。

我们提供靶材包含以下：

金属靶材	金Au,银Ag,铂Pt,钯Pd,钌Ru,铱Ir,铝Al,铜Cu,钛Ti,镍Ni,铬Cr,钴Co,铁Fe,锰Mn,锌Zn,钒V,钨W,铪Hf,铌Nb,钼Mo,镧La,铈Ce,镨Pr,钕Nd,钐Sm,铕Eu,钆Gd,铽Tb,镝Dy,钬Ho,铒Er,铥Tm,镱Yb,镥Lu
合金靶材	镍铁(NiFe)、镍钒(NiV)、镍铬(NiCr)、铝硅铜(AlSiCu)、钛锆(TiZr)、钨钛(WTi)
碳化物靶材	碳C,硅Si,锗Ge,硼B,锑Sb,碲Te
氧化物靶材	氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铬(Cr2O3)、氧化镍(NiO)、氧化铜(CuO)、氧化锌(ZnO)、二氧化锆(ZrO2)、氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑掺杂氧化锌(AZO)、氧化铈(CeO2)、氧化钨(WO3)、氧化铪(HfO2)、铟镓锌氧(IGZO)
氮化物靶材	氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化钽(TaN)
硫化物靶材	硫化铁(FeS)、硫化锌(ZnS)、硫化铜(CuS)、三硫化二镓(Ga2S3)、三硫化二铟(In2S3)、硫化钼(MoS2)、三硫化二锑(SbS3)、硫化锡(SnS)、硫化镉(CdS)、铜锌锡硫化物(Cu2ZnSnS4)
硼硒锑碲靶材	硼化镁(MgB2)、六硼化镧(LaB6)、二硼化钛(TiB2)、硒化锌(ZnSe)、锑化锌(Zn4Sb3)、硒化镉(CdSe)、碲化铟(In2Te3)、硒化锡(SnSe)、锑化锗(GeSb)、三硒化二锑(Sb2Se3)、三碲化二锑(Sb2Te3)、二碲化三铋(Bi2Te3)

二面体科技提供多种规格订制的高质量铱Ir(T)靶材。<>

应用

• 用于制造半导体的薄膜沉积
• 用于生产耐磨涂层
• 化学工业中的催化剂
• 通过氯碱过程生产氯的电极
• 用于高温熔炼应用的坩埚

特点

• 高熔点和热稳定性
• 高密度和抗腐蚀性
• 与许多化学品的低反应性
• 优秀的热和电导体
• 适用于RF (射频) 和DC (直流) 磁控溅射

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