无机外延片/薄膜

氧化镓同质外延片具有出色的电子和光电子性能。由于其带隙宽度大、光学透明度高、稳定性好等优点，氧化镓同质外延片在高频高功率电子器件、光电子器件和能源领域有着广泛的应用。

Pt/Ti/SiO2/Si单晶片是一种层状复合材料，具有多种应用。 Pt/Ti/SiO2/Si单晶片凭借其独特的物理化学性能，在微电子、热电、光电子等领域具有广阔的应用前景。在应用中，如何制备出高质量的Pt/Ti/SiO2/Si单晶片，以及如何精确调控其性能是重要课题。

铌酸锂薄膜是一种由铌酸锂（LiNbO₃）材料制成的薄膜，它具有许多优异的性质，使其在电子、光学和通信领域等方面得到了广泛的应用。

钽酸锂薄膜是一种由钽酸锂(LiTaO3)材料制成的薄膜。LiTaO3是一种具有独特电学性能的晶体材料，通常用于压电器件和光学器件的制造。

生产基于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和锑化铟（GaSb）为衬底的高性能高质量化合物半导体材料。

氮化镓外延片（GaN epitaxial wafer）是一种关键的半导体材料，通常用于制造高频、高功率和高温电子器件，例如高电子迁移率晶体管（HEMTs）、光电器件等。氮化镓具有许多优异的特性，包括高电子迁移率、较高的击穿电场强度、优异的热稳定性以及较小的杂质浓度。

硅外延片常用于半导体制造领域，特别是在集成电路制造中。通过外延工艺，可以在同一硅片上实现不同的硅层，每一层具有不同的电学特性。这有助于在同一芯片上集成不同功能的器件，提高集成度和性能。

YIG（Yttrium Iron Garnet，钇铁石榴石）属于石榴石家族。它的化学式为Y3Fe5O12，其中Y代表钇原子，Fe代表铁原子，O代表氧原子。YiG具有磁性和光学特性，被广泛应用于光学器件和微波器件领域。

ε-Ga₂O₃凭借其极化特性、高击穿电场和宽带隙，成为高频、高功率电子器件的理想材料。