层状过渡金属化合物

FeCl2是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。

NbS3是一种二维半导体材料，具有较低的对称性和优良的光学性能。此外，由于其良好的电子传输特性和高的电荷载流子迁移率，它在电子设备和光电器件中有广泛应用。

GaTeI是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。

InSe是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，InSe在电子设备和光电器件中有广泛应用。

CuInP2S6是一种二维材料，由于其低维度结构，它具有独特的电磁特性，如高导电性和优秀的光电特性，因此在电子和光电行业中有广泛应用。

WSSe一种二维半导体材料，具有较低的对称性和优良的光学性能。此外，由于其良好的电子传输特性和高的电荷载流子迁移率，它在电子设备和光电器件中有广泛应用。

Fe3GeTe2是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。

NiI2是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，NiI2在电子设备和光电器件中有广泛应用。

FePS3是一种二维材料，表现出良好的磁性和光学性能，因此在磁性存储器和光电器件中有潜在的应用。

MnPSe3是一种具有优秀电子性能的二维材料，具有高的电子迁移率和良好的光学性能。因此，MnPSe3在电子设备和光电器件中有广泛应用。

MnPS3是一种二维材料，具有卓越的光电和磁性能。作为一种具有低维度磁性的材料，MnPS3在自旋电子学中显示出巨大的潜力。此外，它的层状结构使其在各种电子和光电设备中具有应用潜力，包括光电子器件、磁性存储器以及能源存储和转换设备。