化合物半导体

氧化镓(Ga2O3)是一种半导体材料，具有良好的化学和热稳定性，其禁带宽度为4.7-4.9eV，临界击穿场强为8 MV/cm（远高于SiC的理论极限2.5 MV/cm和GaN的3.3 MV/cm），电子迁移率为250 cm2/V•s，有较强的透明导电性，巴利加优值超过3000，是GaN和SiC材料的数倍之多。

氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料，它具有高电子迁移率、高热导率以及高抗辐射性等优良性质。GaN广泛应用于LED灯制造、射频应用、电力电子和太阳能电池等领域。特别是在电力电子领域，GaN因其能承受更高的电压和温度，被视为未来电力系统的重要材料。同时，GaN的抗辐射特性也使其在航天领域具有潜力。

碳化硅SiC晶体是一种宽禁带半导体材料，其热导性优秀，电场击穿强度高，这使其在高功率、高频率、高温等恶劣环境中具有显著的性能优势。SiC晶体被广泛应用于电力电子设备，如电动汽车、轨道交通、电网等领域的功率器件，还可以作为高温、高频微波设备的材料。

砷化镓GaAs晶体是一种直接带隙半导体材料，具有良好的电子迁移性能和较高的电子速度，适合用于高速电子器件。与硅比较，GaAs更适合用于制造速度更快的电子器件。另外，GaAs晶体对光有很强的吸收能力，因此在太阳能电池、光电二极管、激光二极管等光电子领域应用广泛。

磷化铟（InP）是一种重要的III-V族半导体材料，具有直接带隙特性和较高的电子迁移率。InP单晶的禁带宽度约为1.35eV，在房温下具有优秀的光学和电子性能。InP常被用于制作高速电子器件，包括高频、高速的光纤通信系统、微波器件，以及某些高效太阳能电池。此外，由于InP的高折射率和良好的热稳定性，它也被广泛应用于LED和激光二极管的制造。

GaSb是砷化镓的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有广泛的应用领域，包括红外探测器、激光器、光电传感器等。GaSb的优异特性包括高电子迁移率、宽带隙、低噪声和高饱和漂移速度，使其成为红外技术和光电子学领域的理想选择。

InAs是砷化铟的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有优异的电子运动性能和光学特性，广泛应用于红外探测器、光电传感器、激光器等领域。InAs具有高载流子迁移率、宽带隙调节范围和快速响应速度等优势，为红外光学和电子器件提供了良好的性能。

ZnO是氧化锌的化学式，是一种广泛应用的半导体材料。它具有优异的光电性能和光学特性，可用于光电器件、光学涂层、传感器等。ZnO的优点包括宽带隙、高透明性、优良的电子传输性能和良好的化学稳定性，使其在光电子学和光学领域具有重要应用价值。

CdZnTe是碲化镉锌的化学式，是一种重要的半导体材料。它具有宽带隙和高电子迁移率，广泛应用于X射线和γ射线探测器、核医学成像等领域。CdZnTe的优势包括高能量分辨率、快速响应时间和良好的辐射硬度，使其成为射线探测和成像技术的关键材料。

氮化铝（AlN）具有宽带隙（6.2eV）、超高击穿电压以及与高铝含量AlGaN外延层的完美晶格匹配，可广泛应用于深紫外探测器、半导体激光器和高功率微波器件。