元素半导体

金刚石 C

量子色心金刚石含特定的色心,能在量子等级上操作和控制光子和自旋态,热导率高,化学稳定性好,尤其是室温下的长自旋相干时间,可应用在量子信息处理,生物标记,灵敏磁场探测,以及纳米尺度的热传输控制等领域。 电子级金刚石有极高热导率和绝缘性,有高电子/空穴迁移率和高击穿电压。可作为高温、高频、高功率和辐射环境下等极限条件下的电子器件的理想材料。 电子级金刚石有极高热导率和绝缘性,强大的场效应晶体管特性即高电子/空穴迁移率和高击穿电压。是高温、高频、高功率和辐射环境下等极限条件下的电子器件的理想材料。 晶体的声子导热带来的极高的热导率,作为高功率器件如LED、激光器、芯片的散热热沉材料。

硅 Si

硅Si单晶是现代半导体工业中使用最广泛的材料之一,其卓越的性能和成本优势使它在许多应用中都占据主导地位。硅单晶具有高的纯度,能够形成完美的晶格结构,这对于制造高效率、低功耗的微电子设备至关重要。硅单晶也表现出良好的热稳定性和化学稳定性,这使得其能在苛刻环境下保持稳定运行。硅单晶的主要应用包括微处理器、存储器、太阳能电池等。

锗 Ge

锗单晶的禁带宽度比硅小,这使得它在室温下的载流子迁移率更高,因此可以在更高频率下工作。同时,锗的高吸光性使其成为生产光电子器件的理想材料,如光纤通信中的光检测器等。然而,锗的生产成本较高,这限制了其在大规模应用中的使用,但在需要高性能、高速率的领域,锗单晶仍然具有很大的优势。