半导体行业的革命者:镓

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引言:

2022年8月12日,美国商务部工业和安全局(BIS)颁布出口限制,涉及了先进半导体、涡轮发动机等领域,其中涉及半导体材料对金刚石和氧化镓材料。

2023年7月3日,我国商务部 海关总署公告对、锗相关物项实施出口管制。

镓和相关材料成为各方科技领域关注的重要的关键材料,它们在半导体行业究竟有怎样的应用,处于何等重要地位?


半导体行业是全球高科技领域的核心


半导体对经济发展和科技进步具有巨大影响,其在信息技术、通信、汽车、医疗、新能源等许多重要领域都扮演着关键角色,是驱动全球数字化、智能化发展的基础。

在市场规模方面,半导体行业的规模庞大且持续增长。据SIA的数据,2022年全球半导体市场销售额5735亿美元。

此外,半导体行业的重要性在于其在全球供应链中的关键地位。半导体是许多高科技产品的核心组件,对于智能手机、计算机、汽车、医疗设备等许多领域的产品性能和功能影响重大。

然而,半导体行业也面临着一些挑战,例如技术迭代速度快、研发投入大、产业链长等。

所以,加快半导体行业的发展,是提升一个国家科技实力的重点。


镓是半导体行业的革命者


(Gallium,化学符号Ga)是周期表第四周期的元素,位于III-A主族元素中,介于铝和铟之间。镓元素于1875年由法国化学家Paul Emile Lecoq de Boisbaudran发现,其名字来源于拉丁文的“Gallia”,意为法国。

镓是一种软金属,其标准状态下为银白色。镓在室温下可以很容易地被切割,并且在稍高于室温(29.76℃)的温度下就可以熔化,因此如果将镓放在手中,它可能会慢慢地融化。但在低温下,镓会变得非常硬,甚至比铁还要硬。

在化学方面,镓通常以+3的氧化态存在,并且可以形成各种化合物,包括与氧、硫、氮、卤素、磷等元素形成的化合物。在大部分化合物中,镓呈Ga3+形式存在。

半导体的分类通常基于其能带结构和元素构成。最基本的分类是基于其元素构成,如:元素半导体(例如:硅、锗)和化合物半导体(例如:镓砷化、氮化镓)。再根据其导电性质,半导体可以分为n型和p型。以下是关于半导体的几个代表性阶段:

  • 第一代半导体:早期半导体主要是元素半导体,以硅和锗为主。硅由于其丰富的硅源和良好的半导体性能,成为了半导体工业的基础。

  • 第二代半导体:主要为化合物半导体,例如砷化镓(GaAs)。这类材料因为能带结构的特性,使得它们在高频、高功率等特殊应用场景中,显示出了优于硅的性能。

  • 第三代半导体:主要包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体。它们具有更高的电场强度,更高的电子饱和漂移速度,和更高的热导率,这使得它们在高压、高频、高温等极端环境下,具有出色的性能。

  • 第四代半导体:主要指2D半导体材料,例如磷化黑磷、氮化硼等。这些材料因为其独特的二维性质,开启了全新的物性探索和应用可能。

在半导体、芯片领域中,几种含镓的半导体具有广泛的应用。具体来说:

  • 砷化镓(GaAs):GaAs是一种直接带隙半导体,这意味着它可以高效地将电能转化为光能,因此被用于制作红色和红外LED。因其较高的电子迁移率,GaAs常用于制作高频率的微波电子设备,例如手机、无线电和雷达。

相较于硅,砷化镓具有更高的电子迁移率,使得它在高频电子设备中有更优的表现。此外,GaAs可以在更高的温度下工作,因此在太空和军事应用中被广泛使用。

  • 氮化镓(GaN)GaN是一种宽禁带半导体,相较于硅和砷化镓,它可以在更高的电场强度下工作,这使得它在高压电力电子设备中有优势。同时,GaN具有很高的热导率,使得它在高功率设备中有良好的表现。此外,GaN同样是一种直接带隙半导体,因此被用于制造高效的蓝光和白光LED,大大推动了照明领域的革新。

  • 氧化镓(Ga2O3):相比其他半导体材料,新兴的Ga2O3拥有更宽的带隙(大约4.8 eV),使其在高压、高频的电力电子设备中有显著优势。这也意味着它可以在更极端的环境中工作,例如更高的温度和更强的辐射。另一方面,Ga2O3的制备成本较低,使其在大规模应用上具有优势。未来,Ga2O3在手机快充、 5G通信、 电源、 新能源汽车、LED 以及雷达等方面具有远大的应用前景。

  • 锑化镓(GaSb)GaSb有一个非常窄的带隙,使得它可以用于制造红外探测器和红外激光器。这意味着它在通信、医疗、军事和环境监测等领域有潜在的应用。此外,GaSb在热光伏领域也有潜在的应用,可以用于将热能高效地转化为电能。这是一种重要的红外检测材料,可以用于制造红外探测器和红外激光器。


下表是它们的性能和劣势、挑战和优势应用对比。


料名称

带隙 (eV)

电子迁移率 (cm^2/V*s)

热膨胀系数 (x10^-6 /K)

劣势

技术挑战

主要优势应用领域

砷化镓 (GaAs)

1.43

8500

6.86

高成本,不适用于大功率应用,有毒性

改进材料质量,降低制造成本。

太阳能电池,光电子器件,微波频率集成电路

氮化镓 (GaN)

3.4

2000

5.59

晶体生长技术挑战较大,易产生缺陷

改进晶体质量,解决晶体生长的问题

LED,电力电子,射频应用

氧化镓 (Ga2O3)

4.8

~100

待定

制备过程复杂,对制备条件要求较高

提高晶体质量,优化器件制作工艺

高压设备,紫外探测器,气体传感器

锑化镓 (GaSb)

0.72

5000

7.90

成本高,对环境稳定性要求较高

降低制造成本,提高环境稳定性

红外探测器,光电子器件,热电器件,通信设备

镓的分布,出口管制可能造成的影响

在第二次世界大战期间就被认为是一种战略性和关键金属,目前镓金属的世界总储量约 23 万吨,中国的镓金属储量居世界第一,约占世界总储量的 80%-85%。

中国 19万 t、美国 0.45万 t、南美洲 1.14万 t、非洲 5.39万 t和欧洲 1.95万 t

注: 伴生矿全球储量超100万t,开采提纯难度更高。

镓的目前主要消费国家和地区是日本、美国、欧洲,其中日本、美国两个国家消耗镓量占全球镓消耗的80%。

就美国而言,其国家矿产信息中心数据显示,自2018‑2021年,美国进口镓不同来源占比为:中国,53%;德国和日本,各  13%;乌克兰,5%;其他,16%。

显然,拥有资源且拥有开采技术体系都是不容忽视。