氧化镓 Ga2O3

氧化镓(Ga2O3)是一种半导体材料,具有良好的化学和热稳定性,其禁带宽度为4.7-4.9eV,临界击穿场强为8 MV/cm(远高于SiC的理论极限2.5 MV/cm和GaN的3.3 MV/cm),电子迁移率为250 cm2/V•s,有较强的透明导电性,巴利加优值超过3000,是GaN和SiC材料的数倍之多。

  • 可应用于通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域的辐射探测感器芯片,尤其在高功率、高温和高频器件中,氧化镓相对于碳化硅和氮化镓在多方面有更大的优势。
  • 宽带隙:氧化镓具有大约4.8-4.9电子伏特的宽带隙,使其在紫外光探测器和电源设备等应用中具有优越性。
  • 高温稳定性:良好的高温稳定性,可以在高达1200摄氏度的环境下工作,使其适合用于高温、高功率、高频的应用场景。
  • 高击穿场强:氧化镓具有较高的击穿电场强度,使其在高电压设备中有着广泛的应用。
  • 良好的光学性能:在紫外至红外的宽波段范围内都具有良好的光学透明性。
  • 良好的化学稳定性:氧化镓在常温和常压下具有很高的化学稳定性,对许多酸和碱具有良好的耐受性。
  • 这些特性使得氧化镓在电力电子、光电子、光催化、气体传感器等领域具有广泛的应用潜力。
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